本站 9 月 3 日消息，英特爾 CEO Pat Gelsinger 在德意志銀行技術會議（Deutsche Bank's 2023 Technology Conference）上談到了英特爾的產品路線和技術演進。
我想說，昨天我剛和我們的技術開發團隊去了俄勒岡州，情況還不錯。我們覺得我們在Intel 18A方面已經走上正軌。對於代工客戶來說，他們需要可靠的PDK。他們要相信我們能夠做到這一點。我們對此領域的興趣不斷增加，進展非常順利
「我們相信 Intel 18A 將於明年年底投入生產，讓我們在2025 年處於領先地位。我們的內部產品（如Clearwater Forest）進展順利，我們的下一代客戶產品都已進入後期設計階段，代工客戶也是如此。」
「現在，我們已經收到了一大筆客戶預付的18A 產能款項。客戶對我們已經有了足夠的信心，因此選擇注資以加快我們的18A 產能。對此，我們感到非常高興。總的來說，正如我們所說的那樣，一切都在穩步推進。客戶的預付確實為18A 的發展動能和製造產能畫上了濃墨重彩的一筆。」
「台積電已建立了市場，我們是台積電的客戶。所以我很清楚他們的晶圓成本、晶圓平均銷售價格、他們向其N5 客戶、N3 客戶展示的N2 預算。我們知道目標是什麼。」
英特爾表示，Intel 18A 是英特爾「四年五個製程節點」計畫的最後一個節點，目前正在穩步按計畫推進內部和外部測試晶片中，預計將於2024 年下半年實現生產準備就緒，2025 年上市。
英特爾表示，目前有五個以上的內部產品正基於最新的 Intel 18A 製程節點研發，Intel 18A 預計將於 2025 年上市。代號為 Clearwater Forest 的下一代能效核英特爾至強可擴展處理器計畫將於 2025 年交付，採用 Intel 18A 製程。
代工方面，Intel 18A 製程節點最初將透過英特爾內部產品提升產量，從而讓該過程的各種問題都能得到妥善解決，因此將在很大程度上為英特爾代工服務的外部客戶降低新製程的風險。日前，英特爾宣布已和新思科技簽署多代合作協議，深化在半導體IP 和EDA（電子設計自動化）領域的長期戰略合作夥伴關係，共同為英特爾代工服務的客戶開發基於Intel 3 和Intel 18A 流程節點的IP 產品組合。先前，Arm 已經和英特爾代工服務簽署了涉及多代前沿系統晶片設計的協議，使晶片設計公司能夠利用Intel 18A 開發低功耗計算系統級晶片（SoC）；英特爾也將採用Intel 18A 為瑞典電信設備商愛立信打造客製化5G 系統級晶片。
英特爾同時發布了最新的RibbonFET電晶體，在Intel 20A製程節點上將推出。以下是RibbonFET電晶體的簡介：
透過 RibbonFET 電晶體，英特爾成功實現了全環繞閘極（GAA, gate-all-around）架構。該架構將與PowerVia 背面供電技術一同在Intel 20A 製程節點上推出，並在Intel 18A 製程節點上繼續採用，以幫助英特爾重新奪回製程領先地位，提升產品性能，並為英特爾的代工服務客戶提供更高品質的服務
在電晶體中，閘極的作用類似一個開關，可以控制電流的流動。 2012年，英特爾率先引進了FinFET（鰭式場效電晶體）技術，使得閘極能夠環繞電晶體通道的上、左、右三側。這種垂直架構使得晶片中能夠整合更多的晶體管，有效地推動了摩爾定律在過去十年的延續
隨著晶體管尺寸的不斷縮小，短溝道效應變得越來越明顯，電流控制也變得越來越困難，FinFET已經接近了物理極限。作為英特爾自FinFET之後的首個全新電晶體架構，RibbonFET全環繞閘極電晶體採用帶狀的電晶體通道完全被閘極環繞，其主要優點包括以下三個面向：
#第一，在RibbonFET 電晶體中，閘極能夠更好地控制電流的流通，同時在任意電壓下提供更強的驅動電流，讓電晶體開關的速度更快，從而提升電晶體的性能；
第二，RibbonFET 電晶體架構的水平通道可以垂直堆疊，而不是像FinFET 一樣只能將鰭片並排放置，因此能夠以更小的空間實現相同的性能，從而推動電晶體尺寸的進一步微縮
第三，RibbonFET 也將進一步提升晶片設計的靈活性，其通道可以根據需求加寬或縮窄，從而更適配不同的應用場景，不管是手機還是電腦，遊戲還是醫療，汽車還是人工智慧，可輕鬆勝任按需配置。
廣告聲明：本文中包含對外跳轉連結（包括但不限於超連結、二維碼、口令等形式），旨在提供更多信息，節省篩選時間，僅供參考。請注意，本站的所有文章都包含此聲明
以上是英特爾收到大額客戶預付款，預計明年年底開始生產 Intel 18A的詳細內容。更多資訊請關注PHP中文網其他相關文章！
