本站9 月5 日消息,日本東北大學的研究人員日前利用濺射技術製造出了碲化鈮(NbTe4)材料,據悉這種材料具有“卓越存儲和熱性能”,有望應用於相變存儲器製造中,從而為業界提供更多原材料選擇,降低相關成本,目前論文已經發布歸檔在onlinelibrary 平台上。
本站經過查詢得知,相變記憶體(PCM)是一種「應用相變材料作為儲存媒體」的記憶體技術,相對於當下的快閃記憶體,相變記憶體透過相變物質的固態、液態轉變來保存資料(快閃記憶體的寫入速度受限於電荷移動速度),因此其讀寫速度更快、儲存密度更高、功耗更低、並且尺寸可以做到更小,但製造相變記憶體媒體的成本過高,目前相變記憶體還停留在企業級階段,尚未下放到家庭市場。
研究人員使用濺射技術製造材料,據悉「濺射是一種廣泛使用的技術,該技術主要是將材料薄膜沉積到基底上,從而實現對薄膜厚度和成分的精確控制」。研究人員在 272 ºC 以上的溫度,退火形成碲化鈮(NbTe4)結晶,這種材料具有約 447 ºC 的超低熔點,因此物理上相對穩定,適合製造相變記憶體。
研究人員對該晶體進行了評估,據稱與傳統的相變記憶體化合物相比,碲化鈮(NbTe4)結晶的熱穩定性較高,而結晶轉換為液態的速度也相當快(約為30 奈秒),凸顯了其作為相變記憶體的原料的潛力。
東北大學材料科學高等研究所助理教授Shuang 聲稱:「我們為開發高性能相變記憶體開闢了新的可能性,NbTe4 具有低熔點、高結晶溫度和優異的轉換性能,是解決目前相變記憶體所面臨成本挑戰的『理想材料之一』。」
廣告聲明:文內含有的對外跳躍連結(包括不限於超連結、二維碼、口令等形式),用於傳遞更多信息,節省甄選時間,結果僅供參考,本站所有文章均包含本聲明。
以上是日本研究團隊製造新型碲化鈮材料,可望作為相變記憶體原料降低生產成本的詳細內容。更多資訊請關注PHP中文網其他相關文章!