消息指出英偉達已試水三星 3nm GAA 工藝，最快 2025 年量產

根據手機晶片專家@手機晶片達人的爆料，據悉，英偉達已與三星就3奈米GAA製程進行了接洽。如果一切順利，預計2025年將開始量產

Hardwaretimes 先前也曾有過報道，下一代英偉達旗艦顯示卡RTX 5090 將使用3nm 工藝，預計明年年底推出。

英偉達RTX 40 系列顯示卡代號為Ada Lovelace，而新一代RTX 顯示卡的代號為Blackwell，其電晶體數量將超過150 億，密度接近3 億/ mm²，核心時脈將超過3 Ghz，總線密度將達到512 bits。

根據早前外媒Club 386 洩漏的訊息，基於GB102 的RTX 5090 包含144 組SM 單元，也就是18432 個CUDA（假設每組SM 還是128 個CUDA），比RTX 4090多出12.5%，96MB 二級緩存，匹配GDDR7 記憶體（384bit 位元寬），支援PCIe 5.0 x16。

微星先前在台北Computex 電腦展上展示了下一代英偉達RTX 旗艦顯卡的散熱設計

由圖可見，微星使用了動態雙金屬鰭片(Dynamic Bimetallic Fin )，六片貫穿式純銅熱管、大面積鋁質鰭片中也嵌入了銅片，進一步增強散熱，而顯存區域也有對應的銅片，這說明不出意外的話下一代顯卡將針對散熱進行著重設計。

▲ 圖來源Club 386

▲ 圖來源Club 386

根據目前所公開的資訊以及相應的散熱條件，可以預期RTX 5090 的功耗和發熱將給人留下深刻的印象

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