三星電子今日發布了關於內存晶片最新開發進展的消息，並展示了他們在存儲晶片密度極限和開發突破性材料方面的雄心壯志
三星電子存儲業務主管李政培（Lee Jung -Bae）表示，三星已經生產了基於其第九代V-NAND快閃記憶體產品的產品，並計劃在明年初開始量產。此外，該公司還在開發業界領先的11nm級DRAM晶片
三星正在研發DRAM的3D堆疊結構和新材料。對於NAND閃存，三星正在透過增加堆疊層數並降低高度，實現半導體行業中最小的單元尺寸
#他說：「在即將到來的10奈米以下的DRAM和超過1000層的V-NAND晶片時代，新的結構和新的材料變得非常重要。」
三星電子對於AI晶片的重要性不言而喻。目前，該公司已經開始生產HBM3高性能記憶體晶片，並且還在研發下一代HBM3E晶片
李政培表示，三星希望能夠為客戶生產客製化的HBM晶片。他說：「我們正在專注於滿足超級規模人工智慧等新應用的需求。我們將繼續推進記憶體晶片生產線，以應對多樣化的需求和長交付週期的挑戰。」
三星電子將於10月20日在矽谷舉辦2023年三星記憶體技術日活動。屆時，這家韓國晶片製造商將推出一些最新的記憶體晶片技術和產品。我們也將為大家帶來更多報道
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