三星最近確認將第五代HBM3E產品命名為“Shinebolt”，這是根據韓媒businesskorea的訊息報告
韓國媒體稱，三星已經開始向客戶提供名為「Shinebolt」的樣品，用於進行品質測試。此樣品規格為8層24GB。此外，三星還計劃很快完成12層36GB產品的開發
Shinebolt 的最大資料傳輸速度（頻寬）約比HBM3 高50%，達1.228TB / s，儘管三星的HBM 開發和生產速度在某種程度上落後於SK 海力士，但三星仍然計劃重新奪回先進記憶體生產的領先地位。
HBM的關鍵在於每層之間的連接方式。三星一直使用熱壓縮非導電薄膜（TC-NCF）工藝，而SK海力士則採用質量回流成型底部填充（MR-MUF）工藝。然而，哪種工藝更好還需要市場來評判
由於三星在HBM的開發和生產速度上落後於SK海力士，因此他們開始重新制定戰略，以奪回市場份額。目前，三星正在考慮加速開發HBM的「混合連接」工藝，以改變遊戲規則
本站同時發現，三星內存業務總裁李正培此前已經表示：「我們目前正在生產HBM3，並且順利開發下一代產品HBM3E，我們將進一步擴大HBM的生產以滿足客戶的需求。」
廣告聲明：本文中包含對外跳轉連結（包括但不限於超連結、二維碼、口令等形式） ，旨在提供更多信息，節省篩選時間。連結結果僅供參考，請注意本站所有文章都包含此聲明
以上是三星交付 HBM3E 內存樣品'Shinebolt”，頻寬高達 1.228TB / s的詳細內容。更多資訊請關注PHP中文網其他相關文章！
