三星計劃明年初量產超過 300 層的第九代 V-NAND 閃存，號稱層數業內最多

本站10 月19 日消息，三星是全球最大的NAND 快閃記憶體供應商，對其V-NAND（即三星稱之為的3D NAND）的發展有著宏大的計劃，本週三星分享了一些相關資訊.該公司證實，其正在按計劃生產擁有超過 300 層的第九代 V-NAND 閃存，並表示這將是業內層數最多的 3D NAND。

「第九代V-NAND 是基於雙層結構，層數達到業界最高水平，明年初將開始量產。 「三星電子總裁兼記憶體事業部負責人李政培（Lee Jung-Bae）在部落格文章中寫道。

本站注意到，8 月就有消息稱，三星正在研發擁有超過 300 層的第九代 V-NAND，將繼續採用三星在 2020 年首次使用的雙層技術。而且三星現在表示其 3D NAND 的有效層數將超過競爭對手，目前我們知道 SK 海力士的下一代 3D NAND 將具有 321 層，因此三星第九代 V-NAND 層數應該會更多。

層數的增加將使三星提高其 3D NAND 裝置的儲存密度。該公司預計，未來的快閃記憶體類型不僅會提高儲存密度，還會提高效能。

「三星也正在研究下一代創造價值的技術，包括一種新的結構，可以最大化 V-NAND 的輸入 / 輸出（I / O）速度。」李政培說。

目前還不知道三星的第九代V-NAND 在性能方面會有什麼表現，不過相信該公司會使用這種記憶體來生產其即將推出的固態硬碟，可能會採用PCIe Gen5 接口。

至於更長期的技術創新，三星致力於最小化單元幹擾、降低高度和最大化垂直層數，這將使其能夠實現業內最小的單元尺寸。這些創新將對推動三星實現擁有超過 1000 層的 3D NAND 以及高度差異化的記憶體解決方案的願景起到關鍵作用。

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