與美光總裁兼 CEO 桑傑・梅赫羅特拉的商務部長王文濤
商務部官網消息稱,王文濤部長在11月1日會見了美光科技公司總裁兼首席執行官桑傑・梅赫羅特拉一行

王文濤表示,中國堅定不移推進高水準對外開放,不斷優化外商投資環境,為外資企業提供服務保障。 歡迎美光科技公司繼續紮根並深耕中國市場,在遵守中國法律法規的前提下實現更好發展。
桑傑・梅赫羅特拉介紹了美光科技公司業務發展情況,表達了持續擴大在華投資的意願。
據本站先前報道,網信辦官網於 5 月 21 日發布通知,表示美光公司在華銷售的產品未通過網路安全審查。
美光於今年6 月宣布,計劃在未來幾年中對西安封測工廠投資逾43 億元人民幣,用於加建新廠房,並引進更多全新且高性能的封裝和測試設備,以更好地滿足中國客戶的需求。該投資項目還將額外增加 500 個就業機會,使美光在中國的員工總數增至 4,500 餘人。
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本站3月21日消息,美光在發布季度財報後舉行了電話會議。在該會議上美光CEO桑傑・梅赫羅特拉(SanjayMehrotra)表示,相對於傳統內存,HBM對晶圓量的消耗明顯更高。美光錶示,在同一節點生產同等容量的情況下,目前最先進的HBM3E內存對晶圓量的消耗是標準DDR5的三倍,並且預計隨著性能的提升和封裝複雜度的加劇,在未來的HBM4上這一比值將進一步提升。參考本站以往報道,這一高比值有相當一部分原因在HBM的低良率上。 HBM記憶體採用多層DRAM記憶體TSV連線堆疊而成,一層出現問題就意味著整個

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本站7月31日消息,美光在發布其第九代276層3DTLCNAND快閃記憶體的同時,也推出了搭載該快閃記憶體的2650固態硬碟。該盤面向日常PC和筆記本使用,屬於消費級OEM產品。美光2650採用PCIe4.0×4接口,外型可選M.22230/2242/2280三種尺寸,容量涵蓋256GB、512GB和1TB,皆為單面設計。得益於其配備的276層3600MT/s六平面TLCNAND閃存B68S,美光2650在PCMark10基準測試中展現了優秀的成績:其較同樣基於TLC閃存的幾大原廠競品,平均跑分高出至多38

本站9月4日消息,根據台灣《中央通訊社》報道,台灣美光董事長盧東暉表示,美光有多達65%的DRAM產品在台灣生產,其中台日團隊一起研發新一代的1-gamma過程將於2025年上半年先在台中廠量產,這是美光第1代採用極紫外光(EUV)的製程技術。據悉,美光現在只有在台中有EUV的製造工廠,1-gamma製程勢必會先在台中廠量產,日本廠未來也會導入EUV設備。盧東暉強調,台灣和日本是美光非常重要的製造中心,美光有多達65%的動態隨機存取記憶體(DRAM)產品在台灣生產;繼日本廠去年10月開始量產1-b

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本站7月16日消息,美光今日推出為AI與HPC場景打造的DDR5MRDIMM內存,僅兼容英特爾至強6處理器。鎂光本次推出32GB、64GB、96GB、128GB、256GB五種容量、8800MT/s速率的DDR5MRDIMM內存,提供標準高度與TFF兩種物理形態。據介紹,與傳統RDIMM內存相比,MRDIMM內存可實現:內存頻寬最高提升39%總線效率提升高於15%延遲改善最高40%本站註:JEDEC暫時未正式發布MRDIMM內存標準,上述產品目前僅支援英特爾至強6處理器。除美光外,三星也正在開發8
