IT之家11 月8 日消息，在消費級儲存市場低迷的背景下，高頻寬記憶體（HBM）技術已成為新的驅動力，最新報告指出三星和美光兩家公司正積極籌備擴張HBM DRAM。
圖片來源：三星
根據最新報道，三星電子已經斥資105億韓元收購了三星顯示旗下位於韓國天安市的部分工廠和設備，以擴大HBM產能。此外，三星電子也計畫投資7,000億至1兆韓元用於新封裝線
IT之家先前報道，三星電子副總裁兼 DRAM 產品和技術團隊負責人 Hwang Sang-jun 先生透露，三星已開發出速度為 9.8Gbps 的 HBM3E，併計劃開始向客戶提供樣品。
三星正在努力開發HBM4技術，並計劃在2025年推出。據了解，三星電子正在積極研究HBM4的各種技術，包括針對高溫熱特性和混合鍵合（HCB）優化的非導電膠膜（NCF）組裝技術等
美光也積極籌備 HBM 生產，於 11 月 6 日在台中開設了新工廠。美光錶示，這個新設施將整合先進的測試和封裝功能，並將致力於大規模生產 HBM3E 以及其他產品。此次擴展旨在滿足人工智慧、資料中心、邊緣運算和雲端服務等各種應用日益增長的需求。
美光執行長 Sanjay Mehrotra 透露，該公司計劃在 2024 年初開始大量出貨 HBM3E。美光的 HBM3E 技術目前正在接受 NVIDIA 的認證。最初的 HBM3E 產品將採用 8-Hi 堆疊設計，容量為 24GB，頻寬超過 1.2TB / s。
此外，美光計畫在 2024 年推出更大容量的 36GB 12-Hi 堆疊 HBM3E。在早些時候的聲明中，美光曾預計，到 2024 年，新的 HBM 技術將貢獻「數億美元」的收入。
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