功率半導體市場放緩，報告顯示中國企業正轉向12吋晶圓與IGBT電晶體

本站11 月28 日消息，根據集邦諮詢發布的最新報告，在功率半導體市場減速的大背景下，中國大陸企業在12 英寸晶圓和IGBT 領域尋求突破，並取得了亮眼的成績。

2023年上半年，中芯國際、華虹半導體、合肥晶合積體電路（Nexchip）和紹興中芯積體電路（SMEC）等中國著名的晶圓代工廠營收成長速度減緩

其中，僅華虹營收小幅成長，中芯國際、晶合整合與中芯整合營收年比分別下降19.29% 、50.43%、24.08%。由於消費性電子、個人電腦和通訊市場低迷，中國晶圓廠的整體表現正進入下行週期。

圖源：紹興中芯積體電路製造股份有限公司

2023 年上半年，華虹的分立元件收入年增33.04%，但增速低於2022 年同期。

營收負成長前十名的上市功率半導體公司數量由 2022 年的 1 家增至 4 家，淨利潤負成長的公司由 1 家增至 8 家。

雖然整體成長放緩，但 IGBT 已成為功率半導體的重要驅動力。

士蘭微、華潤微等公司已經開始大量生產IGBT，且IGBT業務正快速成長。此外，聞泰科技也正在進軍IGBT領域。值得注意的是，截至2023年1月至7月，已有17個IGBT項目啟動或簽約，累計投資超過150億元，顯示出中國企業在IGBT領域的迅速擴張

中國主要的功率半導體廠商正在從8吋晶圓過渡到12吋晶圓。華虹已經實施了12吋產能，無錫二期計畫的擴建正在進行中。 2023年6月，中芯國際三期12吋特殊工藝矽片生產線首批生產10,000片。在IDM領域，聞泰科技、思蘭、華潤微等公司正在積極建造12吋晶圓廠，部分產能已投入運作

分立元件泛指一切具有單一功能的電路基本元件，如電晶體、二極體、電阻、電容、電感等，狹義上的分立元件特指使用半導體材料製成，受功能、體積、技術制約，無法集成為積體電路的單一功能電路基本元件。

絕緣柵雙極電晶體（IGBT）是一種適合高電壓、大電流應用的理想電晶體。 IGBT的額定電壓範圍為400V至2000V，額定電流範圍為5A至1000A。 IGBT廣泛用於工業應用（例如逆變器系統和不間斷電源（UPS））、消費性應用（例如空調和電磁爐），以及車載應用（例如電動車（EV）馬達控制器）

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