三星半導體未來規劃迅猛：去年虧損 13 兆韓元，今年目標增加至 11.5 兆韓元

本站1 月2 日消息，根據韓媒hankyung 爆料，三星半導體（DS）部門今年設定了雄心勃勃的業務目標，營業利潤目標計劃達到11.5 兆韓元（本站備註：目前約630.2 億元）。

來源：三星

根據證券公司的預估，三星電子的總營業利潤將達到33.81萬億韓元。進一步分析顯示，DS部門的營業利潤將佔據三星電子總營業利潤的三分之一。

據預測，三星電子公司的DS部門在2023年將虧損13兆韓元（約712.4億元），而今年的目標是實現11.5兆韓元的利潤，這意味著需要增加接近25兆韓元的獲利。

三星電子的DS部門在過去幾個月中表現出了強勁的成長，這主要是因為DRAM和NAND Flash價格連續三個月上漲等多種因素的影響。由於製造商減產和庫存調整，供過於求的局面已經得到緩解，並且來自智慧型手機和個人電腦公司的訂單也已經恢復。

除此之外，三星也正在積極推動高頻寬記憶體（HBM）市場的發展。最近，他們與 Red Hat 合作，成功通過了 CXL 記憶體的驗證。

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三星和紅帽合作，在真實用戶環境下首次驗證了CXL內存技術。這是業內的重大突破。

根據集邦諮詢的報告，2024年第一季度，手機DRAM、eMMC/UFS的平均價格較上季度增長了18-23%。這意味著手機記憶體和儲存裝置的價格在短時間內有了明顯的上漲。這一趨勢可能會影響手機製造商的成本和利潤。據報告指出，這一增長主要是由於供應鏈短缺和市場需求的增加所致。對於消費者而言

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