本站1 月16 日消息，根據韓媒《首爾經濟日報》報道，SK 海力士計劃在2024 年之前，完成對無錫C2 工廠的改造，轉換升級為第四代（1a） D-ram 工藝，製程達到 10nm 等級。
#無錫工廠是SK hynix公司的核心生產基地，約佔其D-RAM總產量的40%。該廠目前生產10奈米後期等級的第二代（1y）和第三代（1z）D-RAM，屬於舊產品線。
據消息稱，SK 海力士計劃在無錫工廠完成第四代D-RAM 的一部分工藝，並將晶圓運送到位於韓國總部利川園區內，經過EUV 加工後再返還至無錫工廠。
由於第四代產品只有一個 D-RAM 層需要採用 EUV 工藝，該公司顯然認為成本增加是值得的。
在2013年無錫工廠大火期間，該公司克服了D-RAM生產中斷的困難，累積了豐富的經驗。
關於無錫工廠的製程轉型，SK 海力士表示無法確認該公司具體的工廠營運計畫。
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