美光：HBM 記憶體消耗 3 倍晶圓量，明年產能基本預定完畢

本站 3 月 21 日消息，美光在發布季度財報後舉行了電話會議。在該會議上美光 CEO 桑傑・梅赫羅特拉（Sanjay Mehrotra）表示，相對於傳統內存，HBM 對晶圓量的消耗明顯更高。

美光錶示，在同一節點生產同等容量的情況下，目前最先進的HBM3E 記憶體對晶圓量的消耗是標準DDR5 的三倍，並且預計隨著性能的提升和封裝複雜度的加劇，在未來的HBM4 上這一比值將進一步提升。

參考本站以往報道，這一高比值有相當一部分原因在 HBM 的低良率上。 HBM 記憶體採用多層 DRAM 記憶體 TSV 連線堆疊而成，一層出現問題就意味著整個堆疊報廢。目前 HBM 的良率僅約 2/3，明顯低於傳統記憶體產品。

目前，由於 AI 領域的蓬勃發展，熱門產品 HBM 一直處於供不應求的狀態。 SK 海力士今年的 HBM 產能已經售罄，三星也早已完成了今年大部分產能的配額談判。梅赫羅特拉此次更是進一步表示，美光的 HBM 產能連明年的都基本上被預定完畢。

HBM 的高需求，加上其對晶圓的高消耗，擠壓了其他 DRAM 的投片量。美光錶示非 HBM 記憶體正面臨供應緊張的局面。

此外，美光宣稱其 8Hi HBM3E 記憶體已開始大批量出貨，可在截至 8 月末的本財年中貢獻數億美元的收入。

對於 12 層堆疊 36GB HBM3E，梅赫羅特拉表示這一未來產品已於本月初完成採樣，目標到 2025 年實現大批量生產。

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