根據湖北九峰山實驗室消息，作為半導體製造不可或缺的材料，光刻膠質量和性能是影響積體電路電路電性能、成品率及可靠性的關鍵因素。然而，光阻技術門檻高，市場上製程穩定性高、製程寬容度大、普適性強的光阻產品屈指可數。當半導體製造晶片進入到100 nm 甚至是10 nm 以下，如何產生辨識率高且截面形貌優良、線邊缺陷度低的光刻圖形，成為光刻製造的共性難題。
針對上述瓶頸問題，九峰山實驗室、華中科技大學組成聯合研究團隊，支持華中科技大學團隊突破“雙非離子型光酸協同增強響應的化學放大光阻”技術。
該研究透過巧妙的化學結構設計，以兩種光敏單元構建“雙非離子型光酸協同增強響應的化學放大光刻膠”，最終得到光刻圖像形貌與線邊緣粗糙度優良、space 圖案寬度值常態分佈標準差（SD）極小（約0.05）、效能優於多數商用光阻。且光刻顯影各步驟所需時間完全符合半導體量產製造中對吞吐量及生產效率的需求。
此研究成果可望為光刻製造的共性難題提供明確的方向，同時為 EUV 光阻的著力開發做技術儲備。
相關成果以「Dual nonionic photoacids synergistically enhanced photosensitivity for chemical amplified resists」為題，於2024 年2 月15 日在國際頂級刊物Chemical Engineering Journal (IF=15.1) 發表。
本計畫由中國自然科學基金（1973計畫共同資助，主要作為華中科技大學光電國家級研究中心朱明強教授，湖北九峰山實驗室工藝中心柿俊教授和向詩力博士。）
依托九峰山實驗室製程平台，上述具有自主智慧財產權的光阻體系在產線上完整了初步製程驗證，並同步完成了各項技術指標的檢測優化，實現了從技術開發到成果轉化的全鏈條打通。
本站附論文連結：
https://doi.org/10.1016/j.cej.2024.148810
#以上是我國科學研究團隊完成新型光阻技術初步驗證，性能優於多數商用光阻的詳細內容。更多資訊請關注PHP中文網其他相關文章！
