首頁 科技週邊 IT業界 TrendForce:美光 DRAM 產能受台灣地區花蓮地震影響,記憶體廠商紛紛停止報價

TrendForce:美光 DRAM 產能受台灣地區花蓮地震影響,記憶體廠商紛紛停止報價

Apr 07, 2024 pm 05:16 PM
記憶體 dram 美光 地震 南亞科技

根據TrendForce的研發顯示,台灣地區花蓮縣海域裡的7.3級地震對美光在台DRAM記憶體生產能力可能產生影響。據稱,該地區是多家上游記憶體原廠和下游模組廠的停產報價區域。此外,目前還不清楚影響的程度和持續時間。

研報表示,美光在台灣地區部署了大量產能,於新北林口和台中均設有廠區,可生產最先進的 1-beta 記憶體。根據本站以往通報,美光未來的 1-gamma 製程記憶體也將首先在台量產。

TrendForce:美光 DRAM 产能受台湾地区花莲地震影响,内存厂商纷纷停止报价
▲ 美光台中工廠

美光公司於4日發佈公告,顯示所有在台員工均處於安全狀態,正評估此地震對營運和供應鏈造成的影響,待評估結束後將向客戶通報交付承諾變更。

根據TrendForce集邦調查方面表明,此次地震中美光林口廠受到的影響較大,發生了機台停機,仍需數日才能完全恢復運作。

此外台 DRAM 記憶體生產企業南亞科技位於新北市的 Fab3A 廠也遭受了影響

研發指出,美光在震後率先停止了 DRAM 報價,並計劃在損失評估完成後再次啟動本季的記憶體合約價談判。

三大DRAM內存廠三星電子和SK海力士雖然台DRAM產能,也同步停止報價,計劃觀望後市動向。此外威剛等台灣地區記憶體模組廠也聞訊跟進停止報價。

整體來看,目前 DRAM 記憶體市場現貨充足,現貨需求疲軟,因此短期而言價格會有小幅上漲,但漲價延續性有待觀察

以上是TrendForce:美光 DRAM 產能受台灣地區花蓮地震影響,記憶體廠商紛紛停止報價的詳細內容。更多資訊請關注PHP中文網其他相關文章!

本網站聲明
本文內容由網友自願投稿,版權歸原作者所有。本站不承擔相應的法律責任。如發現涉嫌抄襲或侵權的內容,請聯絡admin@php.cn

熱AI工具

Undresser.AI Undress

Undresser.AI Undress

人工智慧驅動的應用程序,用於創建逼真的裸體照片

AI Clothes Remover

AI Clothes Remover

用於從照片中去除衣服的線上人工智慧工具。

Undress AI Tool

Undress AI Tool

免費脫衣圖片

Clothoff.io

Clothoff.io

AI脫衣器

AI Hentai Generator

AI Hentai Generator

免費產生 AI 無盡。

熱門文章

R.E.P.O.能量晶體解釋及其做什麼(黃色晶體)
3 週前 By 尊渡假赌尊渡假赌尊渡假赌
R.E.P.O.最佳圖形設置
3 週前 By 尊渡假赌尊渡假赌尊渡假赌
R.E.P.O.如果您聽不到任何人,如何修復音頻
3 週前 By 尊渡假赌尊渡假赌尊渡假赌
WWE 2K25:如何解鎖Myrise中的所有內容
4 週前 By 尊渡假赌尊渡假赌尊渡假赌

熱工具

記事本++7.3.1

記事本++7.3.1

好用且免費的程式碼編輯器

SublimeText3漢化版

SublimeText3漢化版

中文版,非常好用

禪工作室 13.0.1

禪工作室 13.0.1

強大的PHP整合開發環境

Dreamweaver CS6

Dreamweaver CS6

視覺化網頁開發工具

SublimeText3 Mac版

SublimeText3 Mac版

神級程式碼編輯軟體(SublimeText3)

大內存優化,電腦升級16g/32g內存速度沒什麼變化怎麼辦? 大內存優化,電腦升級16g/32g內存速度沒什麼變化怎麼辦? Jun 18, 2024 pm 06:51 PM

對於機械硬碟、或SATA固態硬碟,軟體運轉速度的提升會有感覺,如果是NVME硬碟,可能感覺不到。一,註冊表導入桌面新建一個文字文檔,複製貼上如下內容,另存為1.reg,然後右鍵合併,並重新啟動電腦。 WindowsRegistryEditorVersion5.00[HKEY_LOCAL_MACHINE\SYSTEM\CurrentControlSet\Control\SessionManager\MemoryManagement]"DisablePagingExecutive"=d

消息指出 SK 海力士五層堆疊 3D DRAM 記憶體良率已達 56.1% 消息指出 SK 海力士五層堆疊 3D DRAM 記憶體良率已達 56.1% Jun 24, 2024 pm 01:52 PM

本站 6 月 24 日消息,韓媒 BusinessKorea 報道,業內人士透露 SK 海力士在 6 月 16 至 20 日在美國夏威夷舉行的 VLSI 2024 峰會上發表了有關 3D DRAM 技術的最新研究論文。在這篇論文中,SK 海力士報告其五層堆疊的 3D DRAM 內存良率已達 56.1%,實驗中的 3D DRAM 展現出與目前 2D DRAM 相似的特性。據介紹,與傳統的 DRAM 水平排列記憶體單元不​​同,3D DRAM 垂直堆疊單元,可在相同空間內實現更高的密度。不過,SK海力士

小米14Pro如何查看記憶體佔用? 小米14Pro如何查看記憶體佔用? Mar 18, 2024 pm 02:19 PM

最近,小米發布了一款功能強大的高階智慧型手機小米14Pro,它不僅外觀設計時尚,而且擁有內在和外在的黑科技。這款手機擁有頂級的性能和出色的多工處理能力,讓用戶能夠享受快速且流暢的手機使用體驗。但效能也是會收到記憶體的影響的,很多用戶想要知道小米14Pro如何查看記憶體佔用,趕快來看看吧。小米14Pro如何查看記憶體佔用?小米14Pro查看記憶體佔用方法介紹開啟小米14Pro手機【設定】中的【應用程式管理】按鈕。查看已安裝的所有應用程式列表,瀏覽列表並找到你想查看的應用,點擊它進入應用程式詳細頁面。在應用程式詳細頁面中

業界最高 3.6GB/s 傳輸速率,美光宣布第九代 276 層 TLC NAND 快閃記憶體量產 業界最高 3.6GB/s 傳輸速率,美光宣布第九代 276 層 TLC NAND 快閃記憶體量產 Jul 31, 2024 am 08:05 AM

本站7月30日消息,美光當地時間今日宣布,其第九代(本站註:276層)3DTLCNAND閃存量產出貨。美光錶示其G9NAND擁有業界最高的3.6GB/sI/O傳輸速率(即3600MT/s快閃記憶體介面速率),較2400MT/s的現有競品高出50%,能更好滿足資料密集型工作負載對高吞吐量的需求。同時美光的G9NAND在寫入頻寬和讀取頻寬方面比市場上的其他解決方案分別高出99%和88%,這一NAND顆粒層面的優勢將為固態硬碟和嵌入式儲存方案帶來效能與能效的提升。此外,與前代美光NAND快閃記憶體一樣,美光276

電腦8g和16g記憶體差別大嗎? (電腦記憶體選8g還是16g) 電腦8g和16g記憶體差別大嗎? (電腦記憶體選8g還是16g) Mar 13, 2024 pm 06:10 PM

  新手用戶在購買電腦時,會好奇電腦記憶體8g和16g有什麼差別?應該選擇8g還是16g呢?針對這個問題,今天小編就來跟大家詳細說明一下。  電腦記憶體8g和16g的差別大嗎?  1、在一般家庭或是普通工作使用,8G運行記憶體可以滿足,因此在使用過程中8g和16g區別不大。  2、遊戲愛好者使用時候,目前大型遊戲基本上是6g起步,8g是最低標準。目前在螢幕是2k的情況下,更高解析度並不會帶來更高的幀數表現,因此對8g和16g也無較大差異。  3、對於音訊、視訊剪輯使用者來說,8g和16g會出現明顯區

消息稱三星電子、SK 海力士堆疊式行動記憶體 2026 年後商業化 消息稱三星電子、SK 海力士堆疊式行動記憶體 2026 年後商業化 Sep 03, 2024 pm 02:15 PM

本站9月3日消息,韓媒etnews當地時間昨報道稱,三星電子和SK海力士的「類HBM式」堆疊結構行動記憶體產品將在2026年後實現商業化。消息人士表示這兩大韓國記憶體巨頭將堆疊式行動記憶體視為未來重要收入來源,並計劃將「類HBM記憶體」擴展到智慧型手機、平板電腦和筆記型電腦中,為端側AI提供動力。綜合本站先前報導,三星電子的此類產品叫做LPWideI/O內存,SK海力士則將這方面技術稱為VFO。兩家企業使用了大致相同的技術路線,即將扇出封裝和垂直通道結合在一起。三星電子的LPWideI/O內存位寬達512

三星宣布完成 16 層混合鍵結堆疊製程技術驗證,預計在 HBM4 記憶體大面積應用 三星宣布完成 16 層混合鍵結堆疊製程技術驗證,預計在 HBM4 記憶體大面積應用 Apr 07, 2024 pm 09:19 PM

報告稱,三星電子的高層DaeWooKim表示,在2024年韓國微電子和封裝學會年會上,三星電子將完成採用16層混合鍵結HBM記憶體技術的驗證。據悉,這項技術已通過技術驗證。報告也稱,此次技術驗證將為未來若干年內的記憶體市場發展奠定基礎。 DaeWooKim表示,三星電子成功製造了基於混合鍵合技術的16層堆疊HBM3內存,該內存樣品工作正常,未來16層堆疊混合鍵合技術將用於HBM4內存量產。 ▲圖源TheElec,下同相較現有鍵合工藝,混合鍵結無需在DRAM記憶體層間添加凸塊,而是將上下兩層直接銅對銅連接,

美光:HBM 記憶體消耗 3 倍晶圓量,明年產能基本預定完畢 美光:HBM 記憶體消耗 3 倍晶圓量,明年產能基本預定完畢 Mar 22, 2024 pm 08:16 PM

本站3月21日消息,美光在發布季度財報後舉行了電話會議。在該會議上美光CEO桑傑・梅赫羅特拉(SanjayMehrotra)表示,相對於傳統內存,HBM對晶圓量的消耗明顯更高。美光錶示,在同一節點生產同等容量的情況下,目前最先進的HBM3E內存對晶圓量的消耗是標準DDR5的三倍,並且預計隨著性能的提升和封裝複雜度的加劇,在未來的HBM4上這一比值將進一步提升。參考本站以往報道,這一高比值有相當一部分原因在HBM的低良率上。 HBM記憶體採用多層DRAM記憶體TSV連線堆疊而成,一層出現問題就意味著整個

See all articles