本站 4 月 9 日消息，根據韓媒 Businesskorea 報道，SK 海力士、三星電子預計於年內先後啟動 1c 奈米 DRAM 記憶體的量產。
進入 20~10nm 過程後，一般以 1 字母的形式稱呼記憶體世代，1c nm 即對應美光的 1-gamma nm 表述，為第六個 10 nm 過程世代。三星方面稱呼上一世代 1b nm 為「12nm 級」。
三星近期在產業會議Memcon 2024 上表示，其計劃在今年年底前實現1c nm 流程的量產；
而近日據業界消息人士透露， SK 海力士內部已製定在三季量產1c nm DRAM 記憶體的路線圖。
SK 海力士計畫提前做好準備，在 1c nm 記憶體通過產業驗證後立即向微軟、亞馬遜等主要客戶供貨。
對於三星電子和SK 海力士，其下代記憶體產品可望提升EUV 光刻使用量，在減小線寬、提升速率同時帶來更好能效；
參考本車站先前通報，美光將在1-gamma 奈米節點首次引進EUV 技術，預計2025 年量產，目前已進行了試產。
台企南亞則正在研發首代 DDR5 記憶體產品，預計今年推出。
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