消息指出三星電子最快在本月稍晚量產第 9 代 V-NAND 快閃記憶體
本站 4 月 12 日消息，根據韓媒 Hankyung 報道，三星最快於本月晚些時候實現第 9 代 V-NAND 快閃記憶體的量產。
三星高層 Jung-Bae Lee 去年 10 月表示，其下一代 NAND 快閃記憶體將於「今年初」量產，擁有業界領先的堆疊層數。
三星於 2022 年 11 月量產了 236 層第 8 代 V-NAND，這意味著兩代之間的間隔為一年半左右。
Hankyung 稱第9 代V-NAND 快閃記憶體的堆疊層數將是290 層，不過本在車站先前報告中提到，三星在學術會議上展示了280 層堆疊的QLC 快閃記憶體，該快閃IO 介面速率達到3.2GB/s。
三星在第 9 代 V-NAND 上將沿用雙快閃堆疊的結構，以實現更簡單的工序和更低的製造成本。而在預計明年推出的第 10 代 V-NAND 快閃記憶體上，三星將換成三堆疊結構。
新的結構將進一步提升3D 快閃記憶體的最大可能堆疊層數，不過也會在堆疊對齊方面引入更多的複雜性，SK 海力士明年量產的321 層NAND 快閃記憶體就將使用這一結構。
半導體產業觀察機構 TechInsights 表示三星的第 10 代 V-NAND 快閃記憶體有望達到 430 層，進一步提升堆疊方面的優勢。
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