本站 4 月 19 日消息，綜合外媒 SemiAnalysis 和 The Elec 報道，英特爾考慮在未來的 High NA EUV 光刻節點導入定向自組裝 DSA 技術進行輔助。
DSA是一項被認為可部分取代傳統光刻的新型圖案化技術之一（本站註：另一項是奈米壓印NIL），其利用嵌合共聚物的分子特性實現圖案化。一般被認為適合輔助傳統微影而非獨立運用。
SemiAnalysis認為，High NA EUV微影面臨的一個大問題就是關鍵尺寸（CD，衡量半導體製程精細程度的關鍵指標）的一致性。定時照射劑量和光刻機晶圓吞吐量的矛盾導致了CD的變異。為了解決這個問題，需要採取一系列措施來提高光刻機的穩定性和光刻劑量的均勻性。
如果晶圓廠需要在保證關鍵尺寸的前提下擁有良好的圖案化效果，那麼就必須加大照射劑量。這將導致光刻過程放慢，光刻機晶圓吞吐量降低，晶圓廠成本負擔加重。
如果晶圓廠以較高的吞吐量運行光刻機，那就意味著光刻圖案的品質會隨著照射劑量的減少而下降。此時 DSA 定向自組裝技術可發揮作用，修復光刻圖案上的特徵錯誤。
引入DSA 定向自組裝可在提升光刻圖案品質的同時，降低照射劑量，提升光刻機晶圓吞吐量，使High NA EUV 光刻更具成本可行性。
除 DSA 外，英特爾也考慮在 High NA EUV 光刻中導入圖案塑形技術。
應用材料公司於去年初發表了Centura Sculpta圖案塑形系統。此系統可定向精確修改晶圓上的特徵圖案，減少關鍵圖層的光刻次數，也具有提升微影圖案品質的功能。
三星電子方面也有引進 Centura Sculpta 系統的意向。
英特爾研究員馬克・菲利普（Mark Phillip）強調：「為了提高光刻製程的效率，有必要引入光刻機以外的設備來進行補充。」
以上是消息指出英特爾考慮引入 DSA 技術輔助 High NA EUV 光刻，提升圖案質量的詳細內容。更多資訊請關注PHP中文網其他相關文章！
