三星電子：4nm 節點良率趨於穩定，第二季開始量產 HBM3E 12H 內存

本站4月30日消息，三星電子在今日發布的第一季財報中分享了其半導體相關業務的技術資訊和未來展望，本站整理如下：

系統LSI

三星表示整體晶圓代工業務的復甦相對延遲，但晶圓廠的營運效率有一定提升。

技術方面，三星稱其3nm 和2nm 節點技術發展順利，將在本季完成2nm 設計基礎設施的開發；而在4nm 節點方面，良率漸趨穩定。

三星正就適用於3D IC的4nm技術進行準備，同時規劃開發適用於14nm、8nm等成熟節點的基礎設施，滿足不同應用的需求。

三星確認其仍計劃在下半年實現第二代 3nm 技術的量產，並提升 2nm 技術的成熟程度。

儲存

三星表示已於本月開始量產HBM3E 8H（8 層堆疊）內存，併計劃於本季度內開始量產可提供36GB 單堆疊容量的HBM3E 12H 產品。三星將持續增加 HBM 供應，滿足生成式 AI 市場的需求。

對於常規 DDR5，三星基於 1bnm（12 奈米級）製程的 32Gb DDR5 也將於本季度量產。 三星計劃在該產品上實現更快的產能爬坡，以提升企業在高密度 DDR5 模組市場的競爭力。

三星 1bnm 32Gb DDR5 記憶體於去年 9 月發布，當時計劃於 2023 年底量產。

而在 NAND 快閃記憶體領域，三星進一步明確第 9 代 V-NAND 的 QLC 版本將於三季量產。

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