业界最高 3.6GB/s 传输速率,美光宣布第九代 276 层 TLC NAND 闪存量产
本站 7 月 30 日消息,美光当地时间今日宣布,其第九代(本站注:276 层)3D TLC NAND 闪存量产出货。
美光表示其 G9 NAND 拥有业界最高的 3.6GB/s I/O 传输速率(即 3600MT/s 闪存接口速率),较 2400MT/s 的现有竞品高出 50%,能更好满足数据密集型工作负载对高吞吐量的需求。
同时美光的 G9 NAND 在写入带宽和读取带宽方面比市场上的其他解决方案分别高出 99% 和 88%,这一 NAND 颗粒层面的优势将为固态硬盘和嵌入式存储方案带来性能与能效的提升。
此外,与前代美光 NAND 闪存一样,美光 276 层 3D TLC 颗粒采用了 11.5mm × 13.5mm 的紧凑封装规格,可减少 28% 的 PCB 面积占用,为更多的设计方案创造了可能。
美光技术与产品执行副总裁 Scott DeBoer 表示:
美光 G9 NAND 的出货证明了美光在工艺技术和设计创新方面的实力。
与目前市场上的竞争产品相比,美光 G9 NAND 的密度提升了至高 73%,从而实现了更紧凑、更高效的存储解决方案,使消费者和企业都能从中受益。
美光执行副总裁兼首席业务官 Sumit Sadana 表示:
美光已连续第三代在业界率先推出创新、领先的 NAND 技术。与竞争产品相比,集成美光 G9 NAND 的产品可提供明显优势的性能。
美光 G9 NAND 将成为存储创新的基础,为所有终端市场的客户带来价值。
以上是业界最高 3.6GB/s 传输速率,美光宣布第九代 276 层 TLC NAND 闪存量产的详细内容。更多信息请关注PHP中文网其他相关文章!

热AI工具

Undresser.AI Undress
人工智能驱动的应用程序,用于创建逼真的裸体照片

AI Clothes Remover
用于从照片中去除衣服的在线人工智能工具。

Undress AI Tool
免费脱衣服图片

Clothoff.io
AI脱衣机

Video Face Swap
使用我们完全免费的人工智能换脸工具轻松在任何视频中换脸!

热门文章

热工具

记事本++7.3.1
好用且免费的代码编辑器

SublimeText3汉化版
中文版,非常好用

禅工作室 13.0.1
功能强大的PHP集成开发环境

Dreamweaver CS6
视觉化网页开发工具

SublimeText3 Mac版
神级代码编辑软件(SublimeText3)

Rufus是创建可启动安装媒体的绝佳工具,许多人使用它在他们的PC上执行Windows的全新安装。但是,许多用户在Windows11上报告了Rufus错误。这些错误将阻止您创建安装媒体,从而阻止您安装Windows11或任何其他操作系统。幸运的是,解决这些问题相对简单,在今天的教程中,我们将向您展示可用于解决此问题的最佳方法。为什么在Rufus中格式化时出现未确定的错误在Windows11上?造成这种情况的原因有很多,在大多数情况下,这只是导致此问题的软件故障。您可以通

在Windows11上安装BalenaEtcher的步骤在这里,我们将展示无需访问其官方网站即可在Windows11上安装BalenaEthcer的快速方法。1.打开命令终端(以管理员身份)右键单击“开始”按钮并选择“终端” ( Admin )。这将打开具有管理权限的Windows终端,以安装软件并以超级用户身份执行其他重要任务。2.在Windows11上安装BalenaEtcher现在,在您的Windows终端上,只需运行使用默认Windows包管理器

本站7月30日消息,美光当地时间今日宣布,其第九代(本站注:276层)3DTLCNAND闪存量产出货。美光表示其G9NAND拥有业界最高的3.6GB/sI/O传输速率(即3600MT/s闪存接口速率),较2400MT/s的现有竞品高出50%,能更好满足数据密集型工作负载对高吞吐量的需求。同时美光的G9NAND在写入带宽和读取带宽方面比市场上的其他解决方案分别高出99%和88%,这一NAND颗粒层面的优势将为固态硬盘和嵌入式存储方案带来性能与能效的提升。此外,与前代美光NAND闪存一样,美光276

本站3月21日消息,美光在发布季度财报后举行了电话会议。在该会议上美光CEO桑杰・梅赫罗特拉(SanjayMehrotra)表示,相对于传统内存,HBM对晶圆量的消耗明显更高。美光表示,在同一节点生产同等容量的情况下,目前最先进的HBM3E内存对晶圆量的消耗是标准DDR5的三倍,并且预计随着性能的提升和封装复杂度的加剧,在未来的HBM4上这一比值将进一步提升。参考本站以往报道,这一高比值有相当一部分原因在HBM的低良率上。HBM内存采用多层DRAM内存TSV连接堆叠而成,一层出现问题就意味着整个

本站7月3日消息,根据韩媒TheElec报道,三星在其第9代V-NAND的“金属布线”(metalwiring)中首次尝试使用钼(Mo)。本站注:半导体制造过程中八大工艺分别为:晶圆制造氧化光刻刻蚀沉积金属布线测试封装金属布线工艺主要是使用不同的方式连接数十亿个电子元器件,形成不同的半导体(CPU、GPU等),可以说是“为半导体注入了生命”。消息人士称三星公司已从LamResearch公司引进了五台Mo沉积机,此外还计划明年再引进20台设备。除三星电子外,SK海力士、美光和Kioxia等公司也在

8月9日消息,在FMS2024峰会上,SK海力士展示了其最新的存储产品,包括尚未正式发布规范的UFS4.1通用闪存。据JEDEC固态技术协会官网信息,目前公布的最新UFS规范是2022年8月的UFS4.0,其理论接口速度高达46.4Gbps,预计UFS4.1将在传输速率上实现进一步的提升。1.海力士展示了512GB和1TBUFS4.1通用闪存产品,基于321层V91TbTLCNAND闪存。SK海力士还展出了3.2GbpsV92TbQLC和3.6GbpsV9H1TbTLC颗粒。海力士展示了基于V7

根据TrendForce的调查报告显示,AI浪潮对DRAM内存和NAND闪存市场带来明显影响。在本站5月7日消息中,TrendForce集邦咨询在今日的最新研报中称该机构调升本季度两类存储产品的合约价格涨幅。具体而言,TrendForce原先预估2024年二季度DRAM内存合约价上涨3~8%,现估计为13~18%;而在NAND闪存方面,原预估上涨13~18%,新预估为15~20%,仅eMMC/UFS涨幅较低,为10%。▲图源TrendForce集邦咨询TrendForce表示,该机构原预计在连续

本站1月29日消息,美光于2023年末在IEEEIEDM会议上披露了其32Gb3DNVDRAM(非易失性DRAM)研发成果。不过根据外媒Blocks&Files从两位受采访的行业分析师处得到的消息,这一突破性的新型内存基本不可能走向商业化量产道路,但其展现的技术进展有望出现在未来内存产品之中。美光的NVDRAM内存基于铁电性(本站注:具有自发极化,且极化方向可在外加电场下反转)原理,可在拥有类似NAND闪存的非易失性的同时获得接近DRAM的高耐久和低延迟。该新型内存采用双层3D堆叠,32Gb的容
