三星将推出 PM1753 数据中心级 SSD:顺序读取 14.8 GB/s,随机读取 340 万 IOPS
本站 8 月 8 日消息,三星在 2024 年闪存峰会 (FMS) 上展示了多款 SSD 新品 ——PM1753、BM1743、PM9D3a、PM9E1,还对第九代 QLC V-NAND、TLC V-NAND 以及 CMM-D – DRAM 、CMM-H TM、CMM-H PM、CMM-B CXL 技术进行了介绍。
BM1743 采用 QLC 闪存,容量可达 128TB,连续读取速度为 7.5 GB/s,写入速度 3.5 GB/s,随机读取 160 万 IOPS,写入 45000 IOPS,采用2.5 英寸外形和 U.2 接口,闲置功耗降低至 4W,后续 OTA 更新后甚至只需要 2W。
PM1753 速度更快,连续读取速度达 14.8 GB/s,写入速度 11 GB/s,承诺可提供 340 万 IOPS 随机读取性能,写入 60 万 IOPS,最大容量为 32 TB,提供 U.2 及E3.S 版本可选,其他细节尚未公布。
三星 PPT 中还提到了一款容量为 1 PB 的 SSD,但预期发布日期是 2035 年。此外,容量为 256 TB 的 SSD 将于 2024~2026 年之间推出;512 TB 将在 2027~2029 年推出,仅规划用于 EDSFF-E3.L 数据中心。至于消费级的 M.2,我们至少得等到 2027 年才能从三星那里买到 16 TB 的相关产品。
本站注意到,三星电子也在今日于北京举办的 2024 年开放计算中国峰会(OCP China)上提到了多款产品,例如 2023 年末推出的 PM1743a(32TB / 64TB),以及数据中心级 PM9D3a,以及基于第九代 VNAND 技术的 PM1753 等产品。
据介绍,作为三星业界首款 8 通道 PCIe Gen5 SSD,PM9D3a 突破了现有闪存层次结构的限制,实现了每 TB 高达 50K IOPS 的随机写入性能,并率先支持 FDP 技术,已经在美国以及中国的主要数据中心完成引入测试。
三星电子即将推出的新一代 PCIe Gen5 SSD PM1753 与上一代产品相比,顺序写入性能提升 1.6 倍,随机读写速度分别提升 1.3 和 1.7 倍。
三星表示,在追求技术突破的同时,AI 处理功耗的重要性也不容忽视。同样以基于 TLC 技术的 PM1753 为例,其 AI 工作负载下的顺序写入能效比上一代相比提高 1.7 倍,在传统服务器中的随机 I / O 操作的能效也提高了 1.6 倍。AI 应用既要优化 I / O 操作时的功耗,同时也要降低 SSD 在待机状态下的功耗。PM1753 的闲置功耗已经降至 4W,下一代产品计划将闲置功耗压缩至 2W,助力数据中心实现节能减排的目标。PM1753 有望成为生成式 AI 服务器应用所需的出色解决方案。
在演讲末尾,三星还介绍了近期正在进行客户测试的 HBM3E 内存产品,预计其速度可高达 9.8Gbps,带宽不低于 1TB/s;而下一代 HBM4 产品预计会在 2025 年介绍给大家。同时,三星还提及了业界首款基于 SoC(处理器)的 CMM 产品 CMM-H,包括 CMM-PM 和 CMM-H TM,分别针对数据持久性和虚拟机迁移需求,为 AI 时代提供更强大的内存解决方案。
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