本站 8 月 19 日消息,据韩媒 ZDNet Korea 报道,SK 海力士 EUV 材料技术人员当地时间本月 12 日出席技术会议时向媒体表示,该企业计划于 2026 年首次导入 ASML 的 High NA EUV 光刻机。SK 海力士的一位工程师表示该公司新近成立了一个 High NA EUV 研发团队,正致力于将 High NA EUV 光刻技术应用到最先进 DRAM 内存的生产上。
综合本站已有报道,在几大先进逻辑制程与存储半导体企业中,英特尔:
台积电:
三星电子:
以上是SK 海力士计划 2026 年首次导入 ASML High NA EUV 光刻机的详细内容。更多信息请关注PHP中文网其他相关文章!