东芝推出新款12V共漏极N沟道MOSFET 助力移动设备电池保护

5月18日消息，东芝电子元件及存储装置株式会社(以下简称"东芝")在今日宣布推出一款名为"SSM14N956L"的新型电子器件。该器件为一款12V共漏极N沟道MOSFET，额定电流为20A，主要应用于移动设备锂离子电池组的电池保护电路。该产品从今日起开始提供批量出货。

必须使用高度稳定的保护电路来提高锂离子电池组的安全性。These circuits require characteristics of low power consumption and high-density packaging, demanding MOSFETs to be compact and thin with even lower drain-source on-resistance.。

SSM14N956L与之前发布的SSM10N954L采用相同的技术，均采用了东芝自家专利的微加工工艺。该设备通过行业领先的低导通电阻特性实现了低功耗，并通过业界领先的低栅源漏电流特性降低了待机功耗。这些特性有助于延长电池的使用时间。此外，新产品还采用了一种名为TCSPED-302701的新型小巧纤薄封装(尺寸为2.74mm×3.0mm，厚度约为0.085mm)。

据ITBEAR科技资讯了解，东芝的新型电子器件SSM14N956L将为移动设备锂离子电池组的保护电路提供更加可靠和高效的解决方案。低功耗和高密度封装使得电池组在充放电时产生的热量减小，从而进一步提高了电池组的安全性能。该产品不仅在导通电阻和待机功耗方面达到了行业领先水平，还为移动设备的设计带来了更多的灵活性。用户对长时间续航和安全性的需求将得到满足，因为东芝的技术创新将进一步推动移动设备电池技术的发展。

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