高速读写，低延迟：创见科技发布UTE210T U.2 NVMe SSD

7月7日消息，创见科技最近发布了一款全新的U.2 NVMe SSD产品，名为“UTE210T”。这款产品专为生成式人工智能、高性能计算(HPC)和大数据分析需求的用户而设计。据创见公司透露，UTE210T采用了先进的112层3D NAND闪存技术，配备了8通道控制器和PCIe Gen 4x4接口，能够提供出色的性能。

UTE210T的顺序读取速度可达7200 MB/s，顺序写入速度可达6500 MB/s，同时支持高达100万次的随机读写IOPS。这使得它在处理大规模数据集和复杂计算任务时表现出色。此外，UTE210T还具备低功耗、低延迟和高度可靠的特性，为用户提供了出色的使用体验。

该产品符合NVMe 1.4规范，并采用U.2接口，这不仅增强了传输稳定性，还能确保服务器的完整性。UTE210T还针对与人工智能相关的苛刻工作负载进行了优化，通过改进DRAM的设计，降低了NAND闪存的编程/擦除周期(P/E周期)，有效延长了SSD的使用寿命。

据小编了解，UTE210T不仅适用于人工智能和大数据应用，还广泛适用于云计算、视频监控、游戏、医疗等领域。用户可以根据个人需求从512GB到8TB之间的容量范围内选择合适的容量。

创见科技尚未公布UTE210T的定价信息，但有望通过其卓越的性能和可靠性满足不同行业用户的需求。这款全新的U.2 NVMe SSD产品将为用户在处理大规模数据和复杂计算任务时提供更快速、更可靠的存储解决方案，助力各行业实现更高效的工作和创新。

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