SK海力士发布24GB移动DRAM:智能手机性能再次提升
SK海力士在8月11日宣布了一项最新突破,正式推出了适用于智能手机等移动设备的高性能DRAM(内存)LPDDR5X1(Low Power Double Data Rate 5 eXtended)的24GB封装产品。据称,这一产品将为移动设备带来更强大的性能
根据小编的了解,SK海力士去年11月成功生产了LPDDR5X,并且通过进一步的技术发展,他们推出了容量为24GB的移动DRAM封装,并已经开始供应。这个举措为智能手机制造商带来了新的机遇,特别是在多任务处理和大型应用程序运行方面
据业内人士透露,备受期待的一加Ace 2 Pro已迅速与合作伙伴达成合作。近日,一加中国区总裁李杰与SK海力士大中华区CTO共同宣布,这款手机将成为全球首款搭载24GB运存的手机。此次量产标志着技术的重大突破,为用户提供更卓越的多任务处理和高效能使用体验
SK海力士在短短几个月内取得的进展令人瞩目。今年1月份,他们就宣布成功开发出LPDDR5T(Low Power Double Data Rate 5 Turbo),这是目前速度最快的移动DRAM之一,运行速度比现有产品快13%。此外,SK海力士计划从今年下半年开始量产10纳米级第4代(1a)精细工艺产品,并将应用“HKMG(High-K metal Gate)”工艺,以进一步提升内存速度,同时降低功耗。
SK海力士在移动DRAM领域的持续创新为智能手机等移动设备的性能提升注入了新的活力,随着技术的进一步进步,我们可以期待在不远的将来见证更多令人瞩目的发展
以上是SK海力士发布24GB移动DRAM:智能手机性能再次提升的详细内容。更多信息请关注PHP中文网其他相关文章!

热AI工具

Undresser.AI Undress
人工智能驱动的应用程序,用于创建逼真的裸体照片

AI Clothes Remover
用于从照片中去除衣服的在线人工智能工具。

Undress AI Tool
免费脱衣服图片

Clothoff.io
AI脱衣机

AI Hentai Generator
免费生成ai无尽的。

热门文章

热工具

记事本++7.3.1
好用且免费的代码编辑器

SublimeText3汉化版
中文版,非常好用

禅工作室 13.0.1
功能强大的PHP集成开发环境

Dreamweaver CS6
视觉化网页开发工具

SublimeText3 Mac版
神级代码编辑软件(SublimeText3)

热门话题

1t内存等于1024GB。1t内存是指内存的存储容量为“1TB”,而1TB等于1024GB。但这只是计算机原理中理论上的数值,一般在系统显示可用存储空间中会偏少;因为硬盘制造商对硬盘的定义与计算机对硬盘容量的算法不同,导致硬盘标识容量和操作系统中显示的实际容量存在误差。

1g内存是1024MB。g全称“GB”,中文意思为“吉字节”,而MB是指“兆字节”;GB和MB都是常使用在标示电脑硬盘、存储器等具有较大容量的储存媒介之储存容量,GB和MB换算率约等于1000(1024),即“1GB=1024MB”。

本站 6 月 24 日消息,韩媒 BusinessKorea 报道,业内人士透露 SK 海力士在 6 月 16 至 20 日在美国夏威夷举行的 VLSI 2024 峰会上发表了有关 3D DRAM 技术的最新研究论文。在这篇论文中,SK 海力士报告其五层堆叠的 3D DRAM 内存良率已达 56.1%,实验中的 3D DRAM 展现出与目前 2D DRAM 相似的特性。据介绍,与传统的 DRAM 水平排列内存单元不同,3D DRAM 垂直堆叠单元,可以在相同空间内实现更高的密度。不过,SK海力士

本站9月3日消息,韩媒etnews当地时间昨日报道称,三星电子和SK海力士的“类HBM式”堆叠结构移动内存产品将在2026年后实现商业化。消息人士表示这两大韩国内存巨头将堆叠式移动内存视为未来重要收入来源,计划将“类HBM内存”扩展到智能手机、平板电脑和笔记本电脑中,为端侧AI提供动力。综合本站此前报道,三星电子的此类产品叫做LPWideI/O内存,SK海力士则将这方面技术称为VFO。两家企业使用了大致相同的技术路线,即将扇出封装和垂直通道结合在一起。三星电子的LPWideI/O内存位宽达512

1g等于1024MB内存容量。g全称“GB”,中文意思为“吉字节”,是一种十进制的信息计量单位,常使用在标示电脑硬盘、存储器等具有较大容量的储存媒介之储存容量。GB和MB换算率约等于1000(1024),即“1GB = 1024MB”。

8月9日消息,在FMS2024峰会上,SK海力士展示了其最新的存储产品,包括尚未正式发布规范的UFS4.1通用闪存。据JEDEC固态技术协会官网信息,目前公布的最新UFS规范是2022年8月的UFS4.0,其理论接口速度高达46.4Gbps,预计UFS4.1将在传输速率上实现进一步的提升。1.海力士展示了512GB和1TBUFS4.1通用闪存产品,基于321层V91TbTLCNAND闪存。SK海力士还展出了3.2GbpsV92TbQLC和3.6GbpsV9H1TbTLC颗粒。海力士展示了基于V7

本站8月9日消息,根据SK海力士当地时间昨日发布的新闻稿,该企业在FMS2024峰会上展示了系列存储新品,其中就包括尚未正式发布规范的USF4.1通用闪存。根据JEDEC固态技术协会官网,目前已公布的最新UFS规范是2022年8月的UFS4.0。UFS4.0指定了每个设备至高46.4Gbps的理论接口速度,预计USF4.1将在传输速率方面进一步提升。▲JEDECUFS规范页面SK海力士此次展示了两款UFS4.1通用闪存,容量分别为512GB和1TB,均基于321层堆叠的V91TbTLCNAND闪

本站3月4日消息,据韩媒DealSite报道,SK海力士、三星电子今年针对HBM内存大幅扩产。不过HBM内存有着良率较低等问题,难以跟上AI市场相关需求。作为AI半导体市场抢手货的HBM内存,其采用晶圆级封装(WLP):在基础晶圆上通过TSV硅通孔连接多层DRAM内存晶圆,其中一层DRAM出现问题就意味着整个HBM堆栈的报废。▲HBM内存结构示意图。图源SK海力士以8层堆叠产品为例,如果每一次堆叠的良率均为90%,那整体HBM堆栈的良率就仅有43%,超一半DRAM被丢弃。而当HBM进入到12层乃
