根据手机晶片专家@手机晶片达人的爆料，据悉，英伟达已与三星就3纳米GAA工艺制程进行了接洽。如果一切顺利，预计在2025年将开始量产
Hardwaretimes 此前也曾有过报道，下一代英伟达旗舰显卡 RTX 5090 将使用 3nm 工艺，预计将在明年年底推出。
英伟达 RTX 40 系显卡代号为 Ada Lovelace，而下一代 RTX 显卡的代号为 Blackwell，其晶体管数量将超过 150 亿，密度接近 3 亿 / mm²，核心时钟将超过 3 Ghz，总线密度将达到 512 bits。
根据早前外媒 Club 386 泄露的消息，基于 GB102 的 RTX 5090 包含 144 组 SM 单元，也就是 18432 个 CUDA（假设每组 SM 还是 128 个 CUDA），比 RTX 4090 多出 12.5%，96MB 二级缓存，匹配 GDDR7 显存（384bit 位宽），支持 PCIe 5.0 x16。
微星此前在台北 Computex 电脑展上展示了下一代英伟达 RTX 旗舰显卡的散热设计
由图可见，微星使用了动态双金属鳍片 (Dynamic Bimetallic Fin)，六条贯穿式纯铜热管、大面积铝质鳍片中也嵌入了铜片，进一步增强散热，而显存区域也有对应的铜片，这说明不出意外的话下一代显卡将针对散热进行着重设计。
根据目前所公开的信息以及相应的散热条件，可以预计 RTX 5090 的功耗和发热将给人们留下深刻的印象
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以上是消息称英伟达已试水三星 3nm GAA 工艺，最快 2025 年量产的详细内容。更多信息请关注PHP中文网其他相关文章！
