首页 科技周边 IT业界 三星电子:客户库存调整接近完成,明年起部分地区 DRAM 和 NAND Flash 将出现短缺

三星电子:客户库存调整接近完成,明年起部分地区 DRAM 和 NAND Flash 将出现短缺

Oct 09, 2023 pm 10:21 PM
三星 dram nand

本站 10 月 8 日消息,据 DigiTimes,三星电子最近对其全球主要客户的半导体需求进行了调查。

根据结果显示,各个领域的客户已经接近完成存储库存的调整,预计从2024年开始,半导体行业将全面反弹。三星预测在2024年之后,某些地区的DRAM和NAND Flash供应将出现短缺

三星电子:客户库存调整接近完成,明年起部分地区 DRAM 和 NAND Flash 将出现短缺
图源 Pexels

一位三星高管提到,大量半导体公司已经逐步完成库存调整,预计 NAND 业务的亏损将大幅减少。

根据证券业人士的说法,由于库存逐步稳定,客户已经开始接受三星提出的涨价要求。预计从第四季度开始,存储市场的供需改善和价格上涨趋势将同时显现

DigiTimes 指出,随着双十一促销进入热身阶段,下游厂商备货意愿增加,尤其在 NAND Flash 报价逐月上涨推动下,SSD 厂商开始准备补货,而市场也将有望回到 2021 年同期表现。

根据之前本站的报道,存储制造商们在经历了有史以来最长的下降周期之后,终于看到了DRAM市场复苏的希望。根据TrendForce分析师的预测,NAND闪存价格将在第四季度继续上涨,预计增长约3%至8%,高于最初的预测范围0%至5%

广告声明:文内含有的对外跳转链接(包括不限于超链接、二维码、口令等形式),用于传递更多信息,节省甄选时间,结果仅供参考,本站所有文章均包含本声明。

以上是三星电子:客户库存调整接近完成,明年起部分地区 DRAM 和 NAND Flash 将出现短缺的详细内容。更多信息请关注PHP中文网其他相关文章!

本站声明
本文内容由网友自发贡献,版权归原作者所有,本站不承担相应法律责任。如您发现有涉嫌抄袭侵权的内容,请联系admin@php.cn

热AI工具

Undresser.AI Undress

Undresser.AI Undress

人工智能驱动的应用程序,用于创建逼真的裸体照片

AI Clothes Remover

AI Clothes Remover

用于从照片中去除衣服的在线人工智能工具。

Undress AI Tool

Undress AI Tool

免费脱衣服图片

Clothoff.io

Clothoff.io

AI脱衣机

AI Hentai Generator

AI Hentai Generator

免费生成ai无尽的。

热门文章

R.E.P.O.能量晶体解释及其做什么(黄色晶体)
1 个月前 By 尊渡假赌尊渡假赌尊渡假赌
R.E.P.O.最佳图形设置
4 周前 By 尊渡假赌尊渡假赌尊渡假赌
R.E.P.O.如果您听不到任何人,如何修复音频
1 个月前 By 尊渡假赌尊渡假赌尊渡假赌
R.E.P.O.聊天命令以及如何使用它们
1 个月前 By 尊渡假赌尊渡假赌尊渡假赌

热工具

记事本++7.3.1

记事本++7.3.1

好用且免费的代码编辑器

SublimeText3汉化版

SublimeText3汉化版

中文版,非常好用

禅工作室 13.0.1

禅工作室 13.0.1

功能强大的PHP集成开发环境

Dreamweaver CS6

Dreamweaver CS6

视觉化网页开发工具

SublimeText3 Mac版

SublimeText3 Mac版

神级代码编辑软件(SublimeText3)

三星将推出 PM1753 数据中心级 SSD:顺序读取 14.8 GB/s,随机读取 340 万 IOPS 三星将推出 PM1753 数据中心级 SSD:顺序读取 14.8 GB/s,随机读取 340 万 IOPS Aug 08, 2024 pm 04:40 PM

本站8月8日消息,三星在2024年闪存峰会(FMS)上展示了多款SSD新品——PM1753、BM1743、PM9D3a、PM9E1,还对第九代QLCV-NAND、TLCV-NAND以及CMM-D–DRAM、CMM-HTM、CMM-HPM、CMM-BCXL技术进行了介绍。BM1743采用QLC闪存,容量可达128TB,连续读取速度为7.5GB/s,写入速度3.5GB/s,随机读取160万IOPS,写入45000IOPS,采用2.5英寸外形和U.2接口,闲置功耗降低至4W,后续OTA更新后甚至只需要

业界最高 3.6GB/s 传输速率,美光宣布第九代 276 层 TLC NAND 闪存量产 业界最高 3.6GB/s 传输速率,美光宣布第九代 276 层 TLC NAND 闪存量产 Jul 31, 2024 am 08:05 AM

本站7月30日消息,美光当地时间今日宣布,其第九代(本站注:276层)3DTLCNAND闪存量产出货。美光表示其G9NAND拥有业界最高的3.6GB/sI/O传输速率(即3600MT/s闪存接口速率),较2400MT/s的现有竞品高出50%,能更好满足数据密集型工作负载对高吞吐量的需求。同时美光的G9NAND在写入带宽和读取带宽方面比市场上的其他解决方案分别高出99%和88%,这一NAND颗粒层面的优势将为固态硬盘和嵌入式存储方案带来性能与能效的提升。此外,与前代美光NAND闪存一样,美光276

三星 Galaxy S25 Ultra 手机曝料:6.86 英寸、横向屏占比 94.1% 三星 Galaxy S25 Ultra 手机曝料:6.86 英寸、横向屏占比 94.1% Aug 17, 2024 pm 01:49 PM

8月17日消息,消息源@i冰宇宙今天发布微博,表示苹果iPhone16ProMax精确尺寸6.88英寸,GalaxyS25Ultra精确尺寸6.86英寸,两者都可视为6.9英寸。消息源表示三星GalaxyS25Ultra比S24Ultra更窄的机身,还有更宽的屏幕,横向屏占比94.1%,而S24Ultra横向屏占比是91.5%。fenye查询该消息源相关微博,他还评论了最新曝光的iPhone16ProMax照片,认为接近微曲是错误的,该机然是直屏+2.5D玻璃。

消息称三星电子、SK 海力士堆叠式移动内存 2026 年后商业化 消息称三星电子、SK 海力士堆叠式移动内存 2026 年后商业化 Sep 03, 2024 pm 02:15 PM

本站9月3日消息,韩媒etnews当地时间昨日报道称,三星电子和SK海力士的“类HBM式”堆叠结构移动内存产品将在2026年后实现商业化。消息人士表示这两大韩国内存巨头将堆叠式移动内存视为未来重要收入来源,计划将“类HBM内存”扩展到智能手机、平板电脑和笔记本电脑中,为端侧AI提供动力。综合本站此前报道,三星电子的此类产品叫做LPWideI/O内存,SK海力士则将这方面技术称为VFO。两家企业使用了大致相同的技术路线,即将扇出封装和垂直通道结合在一起。三星电子的LPWideI/O内存位宽达512

三星万元折叠机皇W25曝光:500万像素屏下前摄 机身更薄了 三星万元折叠机皇W25曝光:500万像素屏下前摄 机身更薄了 Aug 23, 2024 pm 12:43 PM

8月23日消息,三星即将推出新款折叠手机W25,预计9月底亮相,将在屏下前摄、机身厚度上作出相应的提升。据报道,三星W25代号为Q6A,将配备500万像素屏下摄像头,相较于GalaxyZFold系列的400万像素摄像头有所提升。此外,W25的外屏前置摄像头和超广角摄像头预计分别为1000万和1200万像素。在设计上,W25折叠状态下的厚度约为10毫米,比标准版GalaxyZFold6薄约2毫米。屏幕方面,W25的外屏为6.5英寸,内屏为8英寸,而GalaxyZFold6的外屏为6.3英寸,内屏为

三星被曝最快 2024 年底前开始安装首台 ASML High-NA EUV 光刻机 三星被曝最快 2024 年底前开始安装首台 ASML High-NA EUV 光刻机 Aug 16, 2024 am 11:11 AM

本站8月16日消息,首尔经济日报昨日(8月15日)报道,三星将于2024年第4季度至2025年第1季度期间,安装首台来自ASML的High-NAEUV光刻机,并预估2025年年中投入使用。报道称三星将在其华城园区内安装首台ASMLTwinscanEXE:5000High-NA光刻机,主要用于研发目的,开发用于逻辑和DRAM的下一代制造技术。三星计划围绕高High-NAEUV技术开发一个强大的生态系统:除了收购高NAEUV光刻设备外,三星还与日本Lasertec公司合作开发专门用于High-NA光

小米 15 系列全代号曝光:Dada、Haotian、Xuanyuan 小米 15 系列全代号曝光:Dada、Haotian、Xuanyuan Aug 22, 2024 pm 06:47 PM

小米15系列预计将于10月份正式发布,其全系列代号已在外媒MiCode代码库中曝光。其中,旗舰级小米15Ultra代号为"Xuanyuan"(意为"轩辕"),此名源自中国神话中的黄帝,象征着尊贵。小米15的代号为"Dada",而小米15Pro则以"Haotian"(意为"昊天")为名。小米15SPro内部代号为"dijun",暗指《山海经》创世神帝俊。小米15Ultra系列涵盖

SK 海力士率先展示 UFS 4.1 通用闪存,基于 V9 TLC NAND 颗粒 SK 海力士率先展示 UFS 4.1 通用闪存,基于 V9 TLC NAND 颗粒 Aug 09, 2024 am 10:42 AM

本站8月9日消息,根据SK海力士当地时间昨日发布的新闻稿,该企业在FMS2024峰会上展示了系列存储新品,其中就包括尚未正式发布规范的USF4.1通用闪存。根据JEDEC固态技术协会官网,目前已公布的最新UFS规范是2022年8月的UFS4.0。UFS4.0指定了每个设备至高46.4Gbps的理论接口速度,预计USF4.1将在传输速率方面进一步提升。▲JEDECUFS规范页面SK海力士此次展示了两款UFS4.1通用闪存,容量分别为512GB和1TB,均基于321层堆叠的V91TbTLCNAND闪

See all articles