报告称中韩 NAND 技术差距缩短至 2 年

本站 11 月 23 日消息，根据韩媒 Business Korea 报道，市场内部人士透露，随着中国大陆加大对存储器产业的支持力度，过去几年已经有了长足的进步，在 NAND 闪存方面，和三星、SK 海力士等全球领先企业的技术差距缩短到 2 年。

该业内人士指出：“虽然 DRAM 依然保持 5 年以上的技术差距，不过由于 NAND 技术壁垒较低，中国企业在大力扶持下快速追赶，不断缩小差距。中国企业的 NAND 产品虽然在市场竞争力上还存在不足，但显然加快了追赶速度”。

报道中特别提及了长江存储，该公司在 2022 年闪存峰会（FMS）上，正式发布了基于晶栈 3.0（Xtacking 3.0）架构的第四代 3D TLC NAND 闪存芯片，名为 X3-9070。

长江存储宣布从 176 层到 232 层量产之后，遭到了外界的诸多质疑，不过该公司用了不到 1 年的时间，成功量产 X3-9070。

TiPlus7100系列SSD不仅被用于海康威视的CC700 2TB SSD上，还是首个进入零售市场的200+层3D NAND闪存解决方案，领先于三星、美光、SK海力士等厂商

报道中还指出，随着半导体电路的小型化接近极限，中国企业正抓住先进封装（Efficient packaging）这个机会，进一步缩小技术差距。

在半导体行业中，先进封装被视为克服挑战的关键，它主要是将多个芯片进行封装，以提高性能

中国大陆在半导体封装领域占有第二大市场份额，本站援引市场研究公司 IDC 的数据，去年长电科技、通富微电和华天科技三家公司进入全球前 10 大半导体封装（OSAT）公司，而韩国没有一家公司出现在榜单上。

广告声明：本文中包含对外跳转链接（包括但不限于超链接、二维码、口令等形式），旨在提供更多信息，节省筛选时间，但仅供参考。请注意，本站的所有文章都遵循此声明

以上是报告称中韩 NAND 技术差距缩短至 2 年的详细内容。更多信息请关注PHP中文网其他相关文章！