SK 海力士计划加速研发 HBM4 并商业化 CXL 内存以实现 2024 年启动量产
SK海力士在本站12月24日发布了年度AI内存总结,并宣布计划在2024年启动HBM4的研发,并推动CXL内存的商业化量产工作

SK 海力士 GSM 团队的负责人王秀表示:“明年我们公司将开始量产和销售 HBM3E,这将进一步巩固我们在市场上的领先地位。”
他还说到:“我们计划全面开发后续产品 HBM4,因此明年将代表 SK 海力士进入一个全新阶段。这将是我们值得庆祝的一年。”
他表示,随着人工智能产业的快速发展,高带宽内存(HBM)产品将超越目前仅限于人工智能服务器的范围,并扩展到与人工智能相关的所有领域。他预测,到那时,我们的HBM产品将在引领人工智能产业方面发挥非常重要的作用
查询结果显示,SK 海力士已经发布了三种基于 CXL 的解决方案。SK 海力士表示,他们将在明年专注于推动 CXL 商业化,并计划开发和量产新一代内存扩展解决方案
GSM负责人崔元河表示:“我们计划在2024年上半年完成96GB和128GB产品的客户认证,并在下半年实现商业化。”
据他介绍,使用CXL 2.0内存扩展解决方案的客户,与仅搭载DDR5方案的系统相比,其带宽可提高50%,同时容量也可增加50%至100%
以上是SK 海力士计划加速研发 HBM4 并商业化 CXL 内存以实现 2024 年启动量产的详细内容。更多信息请关注PHP中文网其他相关文章!

热AI工具

Undresser.AI Undress
人工智能驱动的应用程序,用于创建逼真的裸体照片

AI Clothes Remover
用于从照片中去除衣服的在线人工智能工具。

Undress AI Tool
免费脱衣服图片

Clothoff.io
AI脱衣机

AI Hentai Generator
免费生成ai无尽的。

热门文章

热工具

记事本++7.3.1
好用且免费的代码编辑器

SublimeText3汉化版
中文版,非常好用

禅工作室 13.0.1
功能强大的PHP集成开发环境

Dreamweaver CS6
视觉化网页开发工具

SublimeText3 Mac版
神级代码编辑软件(SublimeText3)

热门话题

本站 6 月 24 日消息,韩媒 BusinessKorea 报道,业内人士透露 SK 海力士在 6 月 16 至 20 日在美国夏威夷举行的 VLSI 2024 峰会上发表了有关 3D DRAM 技术的最新研究论文。在这篇论文中,SK 海力士报告其五层堆叠的 3D DRAM 内存良率已达 56.1%,实验中的 3D DRAM 展现出与目前 2D DRAM 相似的特性。据介绍,与传统的 DRAM 水平排列内存单元不同,3D DRAM 垂直堆叠单元,可以在相同空间内实现更高的密度。不过,SK海力士

本站9月3日消息,韩媒etnews当地时间昨日报道称,三星电子和SK海力士的“类HBM式”堆叠结构移动内存产品将在2026年后实现商业化。消息人士表示这两大韩国内存巨头将堆叠式移动内存视为未来重要收入来源,计划将“类HBM内存”扩展到智能手机、平板电脑和笔记本电脑中,为端侧AI提供动力。综合本站此前报道,三星电子的此类产品叫做LPWideI/O内存,SK海力士则将这方面技术称为VFO。两家企业使用了大致相同的技术路线,即将扇出封装和垂直通道结合在一起。三星电子的LPWideI/O内存位宽达512

8月9日消息,在FMS2024峰会上,SK海力士展示了其最新的存储产品,包括尚未正式发布规范的UFS4.1通用闪存。据JEDEC固态技术协会官网信息,目前公布的最新UFS规范是2022年8月的UFS4.0,其理论接口速度高达46.4Gbps,预计UFS4.1将在传输速率上实现进一步的提升。1.海力士展示了512GB和1TBUFS4.1通用闪存产品,基于321层V91TbTLCNAND闪存。SK海力士还展出了3.2GbpsV92TbQLC和3.6GbpsV9H1TbTLC颗粒。海力士展示了基于V7

本站8月9日消息,根据SK海力士当地时间昨日发布的新闻稿,该企业在FMS2024峰会上展示了系列存储新品,其中就包括尚未正式发布规范的USF4.1通用闪存。根据JEDEC固态技术协会官网,目前已公布的最新UFS规范是2022年8月的UFS4.0。UFS4.0指定了每个设备至高46.4Gbps的理论接口速度,预计USF4.1将在传输速率方面进一步提升。▲JEDECUFS规范页面SK海力士此次展示了两款UFS4.1通用闪存,容量分别为512GB和1TB,均基于321层堆叠的V91TbTLCNAND闪

本站3月4日消息,据韩媒DealSite报道,SK海力士、三星电子今年针对HBM内存大幅扩产。不过HBM内存有着良率较低等问题,难以跟上AI市场相关需求。作为AI半导体市场抢手货的HBM内存,其采用晶圆级封装(WLP):在基础晶圆上通过TSV硅通孔连接多层DRAM内存晶圆,其中一层DRAM出现问题就意味着整个HBM堆栈的报废。▲HBM内存结构示意图。图源SK海力士以8层堆叠产品为例,如果每一次堆叠的良率均为90%,那整体HBM堆栈的良率就仅有43%,超一半DRAM被丢弃。而当HBM进入到12层乃

本站4月9日消息,据韩媒Businesskorea报道,SK海力士、三星电子有望于年内先后启动1c纳米DRAM内存的量产。进入20~10nm制程后,一般以1+字母的形式称呼内存世代,1cnm即对应美光的1-gammanm表述,为第六个10+nm制程世代。三星方面称呼上一世代1bnm为“12nm级”。三星近期在行业会议Memcon2024上表示,其计划在今年年底前实现1cnm制程的量产;而近日据行业消息人士透露,SK海力士内部已制定在三季度量产1cnmDRAM内存的路线图。SK海力士计划提前做好准

本站1月15日消息,据SK海力士透露,全新CAMM内存标准正计划向台式机领域进军。CAMM是一种新型内存标准,相比传统DRAM模块更加小巧紧凑,并支持更大的容量。该标准已经发展到第二代,即应用于笔记本电脑和轻薄型PC的LPCAMM2。LP代表低功耗,现有模块基于LPDDR5或LPDDR5X标准,提供高达9.6Gbps的传输速度。在CES2024上,博主ITSublssub访问了SK海力士展台,该公司代表确认CAMM标准将进军台式机平台,首款桌面平台CAMM产品也已在研发中,但暂未透露具体细节。爆

6月8日消息,韩国存储器制造商SK海力士(SKHynix)在今天宣布,他们已经开始量产238层的4DNAND闪存芯片。据悉,SK海力士正在与海外智能手机制造商进行产品验证。SK海力士表示,他们已经成功开发了适用于智能手机和个人电脑(PC)的客户端SSD(ClientSSD)解决方案,并于5月份开始进行量产。无论是在176层还是238层产品中,SK海力士都确保了成本、性能和品质方面的世界领先竞争力。据小编了解,238层NAND闪存芯片是目前世界上体积最小的芯片之一,相比上一代的176层芯片,其生产
