消息称 SK 海力士、三星电子今年针对 HBM 内存大幅扩产，但目前良率仅有 65%

本站 3 月 4 日消息，据韩媒 DealSite 报道，SK 海力士、三星电子今年针对 HBM 内存大幅扩产。不过 HBM 内存有着良率较低等问题，难以跟上 AI 市场相关需求。

作为 AI 半导体市场抢手货的 HBM 内存，其采用晶圆级封装（WLP）：在基础晶圆上通过 TSV 硅通孔连接多层 DRAM 内存晶圆，其中一层 DRAM 出现问题就意味着整个 HBM 堆栈的报废。

▲HBM 内存结构示意图。图源 SK 海力士

以 8 层堆叠产品为例，如果每一次堆叠的良率均为 90%，那整体 HBM 堆栈的良率就仅有 43%，超一半 DRAM 被丢弃。而当 HBM 进入到 12 层乃至 16 层堆叠，良率则会进一步降低。

DealSite 表示，目前 HBM 内存整体良率在 65% 左右，明显低于传统内存产品，而由于 WLP 的性质，良率也难以达到 80% 乃至 90%。

另一方面，SK 海力士、三星两家在 HBM 内存中占主导地位的厂商，今年均大幅扩张产能。

据韩券商 Kiwoom Securities 估计，三星电子的 HBM 内存月产能预计将从去年第二季的 2.5 万片晶圆增加到今年第四季度的 15~17 万片；同期，SK 海力士的月产能预计将从 3.5 万片跃升至 12~14 万片。

不过相对 AI 市场对 HBM 内存需求，SK 海力士和三星的产能增幅仍显不足：根据本站近日报道，SK 海力士高管再次确认今年 HBM 产能配额已经售罄；另据韩媒 NEWSIS 去年末报道，三星也早已就今年产能完成了同大客户的谈判。

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