报道称，三星电子的高管Dae Woo Kim表示，在2024年韩国微电子和封装学会年会上，三星电子将完成采用16层混合键合HBM内存技术的验证。据悉，这项技术已通过技术验证。报道还称，此次技术验证将为未来若干年内的内存市场发展奠定基础。
Dae Woo Kim 表示，三星电子成功制造了基于混合键合技术的16 层堆叠HBM3 内存，该内存样品工作正常，未来16 层堆叠混合键合技术将用于HBM4 内存量产。
相较现有键合工艺，混合键合无需在DRAM 内存层间添加凸块，而是将上下两层直接铜对铜连接，可显着提高信号传输速率，更适应AI 计算对高带宽的需求。
混合键合还可降低 DRAM 层间距，进而减少 HMB 模块整体高度，但也面临成熟度不足，应用成本昂贵的问题。
三星电子在 HBM4 内存键合技术方面采用两条腿走路的策略，同步开发混合键合和传统的 TC-NCF 工艺。
结合下方图片和本站以往报道，HBM4 的模块高度限制将放宽到 775 微米，有利于继续使用 TC-NCF。
三星正努力降低 TC-NCF 工艺的晶圆间隙，目标在 HBM4 中将这一高度缩减至 7.0 微米以内。
这份技术也面临着质疑。 Dae Woo Kim 回击称三星电子的方案相较竞争对手 SK 海力士的 MR-RUF 更适合 12 层至 16 层的高堆叠模块。
以上是三星宣布完成 16 层混合键合堆叠工艺技术验证，有望在 HBM4 内存大面积应用的详细内容。更多信息请关注PHP中文网其他相关文章！
